1. Hervorragende EMV: Optimierte Wicklung und hochpermeabler Kern unterdrücken wirksam Gleichtaktstörungen und sorgen so für eine einfache Zertifizierung.
2. Geringer Verlust und hoher Strom: Flachdrahttechnologie, niedriger DCR, geringer Temperaturanstieg, hohe Strombelastbarkeit und hoher Wirkungsgrad.
3. Kleines SMD: Dünnes Gehäuse, spart Platz auf der Leiterplatte, kompatibel mit automatisiertem SMD und effiziente Produktion.
4. Hohe Zuverlässigkeit: Stabile und vibrationsbeständige Struktur, großer Temperaturbereich und Witterungsbeständigkeit, stabile Parameter, konform mit RoHS-Standards.
| KUNDEN-P/N | Z(Ω)TYP | Testhäufigkeit | Nennspannung (V)MAX | DCR(Ω)MAX | Nennstrom (A)Max | IR(MΩ)MIN |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GCM4532I-101T | 100TYP | 100 MHz/0,5 V | 50 | 9,0 m ± 40 % | 6,0 | 9-11 |
| GCM4532I-251T | 250TYP | 100 MHz/0,5 V | 50 | 14 m ± 40 % | 5,0 | 9-11 |
| GCM4532I-501T | 500TYP | 100 MHz/0,5 V | 50 | 19 m ± 40 % | 2,0 | 9-11 |
| GCM4532I-102T | 1000 ± 30 % | 100 MHz/0,5 V | 50 | 24 m ± 40 % | 2,0 | 9-11 |
| GCM4532I-142T | 1400TYP | 100 MHz/0,5 V | 50 | 40 m ± 40 % | 2,0 | 9-11 |

| A | B | C | D | E |
|---|---|---|---|---|
| 5,0 ±0,3 | 4,5 ±0,3 | 2,8 ±0,3 | 1,0 Typ | 1,65 Typ |